新中国刚成立时，国家的第一个任务便是经济恢复。到1956年，虽然基础尚浅，但我国已经积累了一些初步的工业底子。那一年，国家出台了十年科学规划，明白准确地提出要重视半导体技术的研发，因为这不仅是计算机技术的基础，而且计算机也将为国防提供重要支持。科研团队迅速投入工作，到了11月，第一只晶体三极管就成功诞生了。这个步伐稳健，甚至与国际上的进展几乎同步。不到几年，1958年，我国的锗晶体管也问世，尽管比国际领先水平晚了些许，但这一进展足以证明当时中国在半导体领域并没有落后，仍然处于世界的前列。

  跟着时间的推移，1962年，中国成功研发出了硅平面晶体管，并且采用了光刻工艺，这标志着我国在半导体领域迈出了重要的一步，尤其是在光刻技术上取得了初步突破。进入1965年，中国科学院与上海电子仪器厂合作，成功推出了65型接触式光刻机，尽管比美国GCA的光刻机晚了四年，但在当时，阿斯麦等国际领先品牌还未出现，中国已经跻身于全球技术的前沿。进入70年代初，美国推出了接近式光刻机，然而，中国在这方面的跟进稍显吃力。1977年5月，江苏吴县召开了一个全国性的光刻机座谈会，42家单位、67位专家汇聚一堂，探讨如何整合国内力量，迎头赶上国际水平，力争将国产光刻机推向市场。

  然而，随着时间的推移，国际形势发生了变化。美国在1986年推出了分步投影光刻机，拉开了现代光刻机发展的序幕。虽然我国的科研团队没有停歇，持续进行攻关，但直到1985年，中电科45所才成功研发出类似的设备，在技术上已经接近美国水平，尽管时间上晚了七年。这时，阿斯麦刚刚成立，市场占有率还不到5%，而台积电也需要再等两年才能成型。尽管中国本有机会通过集中力量继续追赶，但此时国际形势发生了变化，与西方国家关系逐步改善，许多曾经没有办法获得的技术和设备变得触手可及。光刻机的研发依旧复杂且资金密集，许多人开始倾向于通过进口现成设备来省事，形成了造不如买的思维。

  这一思维一旦盛行，许多高端技术项目开始停滞。像运10飞机这样的项目，1970年启动，1980年首飞成功，但到了1985年便宣布停产，转而依赖进口波音或麦道的飞机。空军的31个项目，包括远程轰炸机和武装直升机，也被搁置。海军的11个项目也因资金转向进口设备而停滞不前，像大型导弹驱逐舰和航母等重要项目也都被迫中断。全军90个重要的国防科研项目遭遇中断，许多已取得初步成果的项目被迫搁置。光刻机的研发同样因资金转向进口设备而进展缓慢，本应加速迭代的技术，由此拉开了与国际水平的差距。随着买办思维的盛行，进口设备逐渐取代了自主研发，但对于国家整体来说，这种思路并没有带来长远的益处。

  进入80年代末，国家推行了531战略，旨在普及5微米技术，开发3微米，并力求攻克1微米技术。然而，这一战略在实施过程中仍旧受到造不如买的思维影响。产业界过于依赖外部技术，盲目开放市场，缺乏顶层设计，导致集成电路产业发展迟缓。最终，光刻机技术的差距从最初的几年，变成了如今至少20年的差距。如今，上海微电子虽然能生产90纳米设备，但全球顶尖厂商已确定进入了几纳米级别的技术阶段。阿斯麦几乎垄断了高端市场，而中国仍然依赖进口，产业链的卡脖子问题愈加严重。

  时至今日，回望过去，中国的光刻机技术已落后国际顶尖水平近20年，而这一切的根源，正是在造不如买的思维上。虽然这样的做法曾经为少数人带来了利益，但对于国家长远的发展并无正面作用。这种依赖外部技术的做法让中国的技术自主性日渐薄弱，容易被外部制约。然而，近年来，国家逐渐意识到这一点，开始加大对半导体领域的自主研发投入。上海微电子在90纳米技术上取得了稳固进展，并开始向28纳米技术发起攻坚。华为海思等企业也热情参加其中，在面对国际封锁时，加速技术创新。2023年，国产光刻机在一些领域实现了突破，虽然还未能赶上全球顶尖水平，但技术进步的步伐慢慢的开始显现。

  从历史中汲取教训，我们深刻认识到，自力更生才是最可靠的道路。虽然依赖进口一时看似便利，但其隐患也极为深远。光刻机技术的发展正是一个警示，核心技术必须牢牢掌握在自己手中。未来，中国半导体产业必将继续奋力前行，缩小差距，迈向自主可控的未来。返回搜狐，查看更加多